| 型号： | RSD200N10TL | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| RSD200N10TL PDF |  |
| 产品目录绘图 | CPT-3, D-PAK Series |
| 特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 52 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 48.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | CPT3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | RSD200N10TLCT |